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カスタムメイドのCバンディングレーザーDWDM
14xxnm分散型Volokon Ramanovskyアパートアンプ
1550 nm分散型Volokonnaya Ramanovsky Amplifier of the First Order
1550 NM DFBレーザー高出力モジュールの光学源のソース
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生産
私たちの植物は、980 nmポンプレーザー、ブロードバンド光源ASE、およびレーザーダイオードバタフライを提供します。当社の製品は主に国内外で販売されています。
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ASE 1030 nmブロードバンド光源
Box Optronicsブロードバンド光源ASE 1030 nmは、Itterbievファイバーと半導体ポンプレーザーに基づいています。放射スペクトルは1030 nmの波長を覆い、高出力容量と0.2 dBまでの偏光係数を提供します。光ファイバーデバイス、VBRグリルの生産などをテストするために使用できます。
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808 nm 25 W62.5μmポンピング源用マルチモドンファイバーレーザーダイオード
プロのメーカーとして、Box Optronicsは、ポンプ源、材料処理システム、ポンプ源、およびその他のアプリケーション領域のための高品質のレーザー808 nm 25 W62.5μmマルチモジーファイバーレーザーダイオードを提供することをお勧めします。当社の製品は高強度によって特徴付けられており、国際的な基準に準拠しています。この製品に興味がある場合は、お問い合わせください。
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1064 nm赤外線DFBレーザーダイオードは、繊維結合を備えた200 MWの容量を持つダイオード
Box Optronicsは、14ピンBTFケースで繊維結合を備えた200 MWの容量を持つ高品質の1064 nm赤外線DFBレーザーダイオードを提供します。これらのデバイスは、連続放射モードで最大200 MWの非常に安定した出力を提供します。オプションで利用可能なシングルモッドおよびシングルモードの光ファイバー。それらは、構築された - 熱電荷(実現可能性調査)を装備し、光化を監視しています。サイドモード抑制係数> 40 dB。それらは、光学検出システムおよびレーザーの種子源としてよく使用されます。
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1550 NM 100 MW 100 kHz狭いレーザーレーザーダイオードと別のライン
Box Optronicsは、14ピンBTFケースにさまざまなラインデバイスを備えた1550 nm 100 MW 100 kHzの狭いレーザーレーザーダイオードを提供しています。これらのデバイスは、連続放射モードとライン幅で最大100 MWの非常に安定した電力を提供します<100 кГц. Опционально доступны одномодовые и одномодовые оптоволоконные пигтейлы. Они оснащены встроенными охладителями термоэлектрического конденсатора (ТЭО) и следящими фотодиодами (ФД). Коэффициент подавления боковых мод >40 dB。それらは、光学センサーと光学通信でよく使用されます。
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半導体光アンプSOA 1060 nm 25 dB
一連の製品半導体光アンプSOA 1060 nm 25 dBは、主に光信号を強化するために使用され、出力光電力を大幅に増加させることができます。製品の特徴は、増幅の高い係数、低エネルギー消費、偏光の保存、およびその他の特性によって特徴付けられます。彼らは国内技術を使用して完全に技術的です。
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半導体光アンプSOA 1550 nm 25 dB
ボックスオプトロニクス半導体光アンプの一連の製品SOA 1550 nm 25 dBは、主に光信号を強化するために使用され、出力光電力を大幅に増加させることができます。製品は、高強化因子、低エネルギー消費、偏光の保存、およびその他の特性によって特徴付けられます。それらは完全に技術的であり、国内の技術を使用して作ることができます。
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