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新製品
カスタムメイドのCバンディングレーザーDWDM
14xxnm分散型Volokon Ramanovskyアパートアンプ
1550 nm分散型Volokonnaya Ramanovsky Amplifier of the First Order
1550 NM DFBレーザー高出力モジュールの光学源のソース
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生産
私たちの植物は、980 nmポンプレーザー、ブロードバンド光源ASE、およびレーザーダイオードバタフライを提供します。当社の製品は主に国内外で販売されています。
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高い吸収で合金化された繊維
高い吸収で合金化された繊維は、使用される繊維の長さを減らし、それにより繊維への非線形暴露を減らし、主に1.5μMおよび繊維レーザーの繊維アンプで使用されます。繊維は980または1480 nmの温度で汲み上げられ、縫製損失が低く、一貫性が良好です。
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EDFA、エルビアがドープした強力な繊維アンプ
エルビウムをドープした強力なファイバーアンプは、二重シェルでドープされたファイバーアンプの技術に基づいており、波長範囲のレーザーレーザー出口の信頼できる設計と組み合わせて、ユニークな光学パッケージングプロセスを使用して、1535〜1565Nmです。ノイズ、それは繊維接続、LIDARなどに使用できます。
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光学サウンドのためのシリコンフォトダイオードTO46
光学サウンド用のシリコンTo46フォトダイオードは、TO46ケースを備えたシリコンフォトダイオードであり、シリコンが基本材料として使用され、その主な機能は光信号を電気信号に変換することです。
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400 nm-1000 nmシリコンフォトダイオードモジュール
400 nm -1000 nmシリコンフォトダイオードモジュールは、主材料としてシリコンで作られており、400 nmから1000 nmのスペクトル感度範囲を持ち、主に入射光信号を電気信号に変換する機能を実行し、光電気変換に到達します。
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1100 nm-1650 nm ingaas photo dias
1100 nm-1650 nm ingaas光動機モジュールは、光電気変換の機能と対応する補助機能を組み合わせて、光信号を電気信号に変換するために使用される、インドガリア(ingaas)の材料に基づく光電子デバイスです。高感度や特定のスペクトル範囲での迅速な応答などの特性により、光学接続、レーザー位置、スペクトル分析、赤外線視覚化など、光電化変換が必要な多くの領域で広く使用されています。これは、最新の光電子技術において不可欠で重要なデバイスです。
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同軸フォトダイオードピグテールインガ
同軸Photdiode Pigtail Ingaas 1100 NM-1650 NMは、小さな同軸ケースとINGAAS検出器チップを使用しています。これは、非常に低いエネルギー消費、小さな暗い電流、低い逆損失、柔軟性の高い、直線性の高い、コンパクトなデザイン、少量、高い信頼性、長いサービス寿命によって特徴付けられます。この一連の製品は、ケーブルテレビレシーバー、アナログシステムおよび電力検出器の光学信号の受信機で最もよく使用されます。
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