超発光半導体LEDレーザーの基本動作原理

I. 基本的な動作原理

SLEDの本質は「光振動をなくす」と同時に「誘導放出を増幅する」ことです。主なプロセスは 3 つの段階で構成されます。

1. 電荷キャリア注入と反転分布: 従来の半導体レーザーと同様に、順方向電圧が pn 接合に印加され、電子と正孔が活性領域に注入され、反転分布が生じ、誘導放出の前提条件が提供されます。

2. Люминесценция с преобладанием вынужденного излучения: когда инвертированные носители заряда рекомбинируют в активной области, они испускают фотоны преимущественно посредством вынужденного излучения, а не спонтанного, как в традиционных светодиодах. Следовательно, обеспечивается превосходная направленность и монохроматичность света.

3. Подавление лазерных колебаний: это ключевое отличие SLED от традиционных лазеров. Благодаря особой конструкции (например, уменьшению отражательной способности резонансной полости) фотоны не могут формировать непрерывные колебания внутри полости, что в конечном итоге приводит к некогерентному сверхизлучающему свету, а не к некогерентному лазерному излучению.

会社Box Optronics производит SLED-лазеры-бабочки с длиной волны 840 нм, 1310 нм и 1550 нм, предлагая профессиональную разработку схем драйверов и корпусирование лазерных модулей с термоэлектрическим управлением (TEC) или настольные корпуса.