生産

1100 nm-1650 nm ingaas光動機モジュールは、光電気変換の機能と対応する補助機能を組み合わせて、光信号を電気信号に変換するために使用される、インドガリア（ingaas）の材料に基づく光電子デバイスです。高感度や特定のスペクトル範囲での迅速な応答などの特性により、光学接続、レーザー位置、スペクトル分析、赤外線視覚化など、光電化変換が必要な多くの領域で広く使用されています。これは、最新の光電子技術において不可欠で重要なデバイスです。

同軸Photdiode Pigtail Ingaas 1100 NM-1650 NMは、小さな同軸ケースとINGAAS検出器チップを使用しています。これは、非常に低いエネルギー消費、小さな暗い電流、低い逆損失、柔軟性の高い、直線性の高い、コンパクトなデザイン、少量、高い信頼性、長いサービス寿命によって特徴付けられます。この一連の製品は、ケーブルテレビレシーバー、アナログシステムおよび電力検出器の光学信号の受信機で最もよく使用されます。

1650 NM 2 MW 4 MW DFBピグテルレーザーダイオードは、通常、光源を安定または変調するために使用されます。さらに、テスト機器とOTDR機器には、非常に安定したレーザー源を使用できます。レーザーダイオードは、CWDM-DFBチップ、組み込みの絶縁体、組み込みのモニターフォトダイオード、4ピン同軸ケース、およびオプションの光ファイバーコネクタSC/APC、SC/PC、FC/APC、FC/PCで構成されています。クライアントは、実際のニーズに応じて、ファイバーの長さと連絡先の決定を選択できます。出力電力は1 MWから利用できます。

1625 NM 2.5G DFBピグテルダイオードレーザーには、レーザーチップCWDM-DFB、内蔵の絶縁体、組み込みのモニターフォトダイオード、4ピン同軸ケース、追加の繊維繊維スロットSC/APC、FC/APC、FC/PCが含まれています。 1 MWから4 MWの出力範囲で低いしきい値と作業電流を提供します。光ファイバーの長さは、顧客の要件に従って設定できます。連絡先のさまざまな定義も利用できます。この一連の製品は、安定した光源または変調された光源として使用できます。また、テスト機器とOTDR機器での使用も見られます。

1570 nm同軸DFBレーザーダイオードは、単一モードの光ファイバに接続されています。出力電力CWは波長に依存し、2 MWから4 MWです。分布した逆キャビティは、わずか0.32 nmのライン幅を作成します。これらのレーザーダイオードには、構築されたモニターフォトジオードと光学絶縁体があります。 SMF 28ファイバーの光出力は、SC/PC、FC/PC、SC/APC、またはFC/APCコネクタで終了できます。

DFBピグテールレーザーダイオード1550 nmは、最適な通信効率に正確に付着したファイバー出力を持つ分布フィードバック（DFB）を備えたレーザーで構成されています。中央波長1550 nmのこのバージョンは、典型的な出力容量が1 MW〜4 MWで、リアフォトダイオードと構築された光インシュレータが含まれています。 9/125単一モードのファイバー出力は、FC/APCまたはFC/PCタイプの光ファイバーコネクタで終了します。アプリケーションの領域には、高速データ送信および通信システム、レーザーダイオード光源を必要とするデバイスと光学デバイスが含まれます。