生産

1310 nm 10 dBM SOA半導体光アンプSMバタフライは、高品質のSOAおよびTECコーナーチップを使用して設計されており、大規模な動的入力信号に安定した拡張出力を提供できます。デバイスは、1310 nmおよび1550 nmの範囲の標準の14ピンバタフライケースで利用できます。 SOAデバイスには、光学補強係数が高く、飽和度の高い出力電力、偏光、低ノイズ係数、広範囲の波長に応じて低損失があります。入力側および/または出力側の光学絶縁体のオプション、および顧客の仕様に従ってSM繊維、PM繊維、その他の特別な繊維の出力繊維があります。製品はTelcordia GR-468によって認定されており、ROHSの要件を満たしています。

1920〜2020 nm、TDFAベースのアンプを使用して、-10 dBMから+10 dBMの電力範囲の2μmのレーザーのレーザーの信号を強化できます。豊富な出力が40 dBmに達することがあります。多くの場合、レーザー光源の伝送能力を高めるために使用されます。

1030〜1080 nm YDFA、Itterbiaベースの増幅器は、半導体レーザーを使用してインタービアン繊維をポンピングすることにより増加します。出力電力はスムーズに調整可能であり、高い増幅と低ノイズの利点があります。 YDFAデスクトップハウジングは、実験作業に便利です。ユーザーは、パネルのボタンを使用して、ポンプ電流と出力電力を調整できます。ユーザーシステムの統合を促進するために、よりコンパクトなモジュラーYDFAも利用できます。 YDFAデスクトップとモジュラーYDFAの両方が、ホストコンピューターソフトウェアコントロールとシーケンシャルポートコマンドのコマンドをサポートできます。

範囲1528〜1603 nmのErbiev繊維C+Lを備えたアンプのアンプは、CバンドとLバンドの光信号を同時に強化できます。作業波長は、1528〜1563 nmおよび1570〜1603 nmをカバーしています。光信号の波長に適応し、光学電力の低音で非常に効果的な強化を提供できます。

Erbiev繊維（EYDFA-HP）のLバンドの偏光を維持しながら、高出力EDFAアンプは、エルビンの光学信号のレーザー強化の原理に基づいています。 1570–1605 nm。その高出力と低ノイズレベルのため、光ファイバー通信、Lidarsなどで使用できます。

エルビンをドープしたファイバー上の高出力Lバンドアンプは、エルビアが合金化した繊維のレーザーで光学信号を強化する原理に基づいています。強力なレーザーの熱を放散するために、マルチステージの光増幅の特別な設計と信頼できる技術を使用して、波長1570〜1605 nmのレーザーの高出力電力を達成します。高出力と低ノイズの利点があり、光学的通信システム、繊維光学サウンド、レーザーレーダーなどで使用できます。