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カスタムメイドのCバンディングレーザーDWDM
14xxnm分散型Volokon Ramanovskyアパートアンプ
1550 nm分散型Volokonnaya Ramanovsky Amplifier of the First Order
1550 NM DFBレーザー高出力モジュールの光学源のソース
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生産
私たちの植物は、980 nmポンプレーザー、ブロードバンド光源ASE、およびレーザーダイオードバタフライを提供します。当社の製品は主に国内外で販売されています。
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1390 NM DFB 2 MWピグテル付き同軸レーザーダイオード
Box Optronics -Pygteleを使用した中国の主要メーカー1390 NM DFB 2 MW同軸レーザーダイオード。 1390 NM DFB 4 MW Pygteleを使用した同軸レーザーダイオードは、DFBチップの使用により優れたモデリング特性を持っています。出力は、顧客のニーズに応じて1〜4 MWの範囲で規制されているため、このレーザーモジュールはケーブルテレビ、デジタル、アナログ信号ギアでの使用に最適です。
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1370 NM DFB 2 MWパイティルSMファイバー付き同軸レーザーダイオード
これは、1370 nm DFB 2 MWの同軸レーザーダイオードを備えたPigtele SM繊維を備えており、INGAASモニターとそのケースに統合された光学絶縁体の構築されたフォトダイオードを備えています。このレーザーダイオードは、モバイル通信システムやCATVシステムなどの光ネットワークでの使用に適しています。
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1350 nm同軸DFBピグテルレーザーダイオード
この1350 nmの同軸DFBピグテルレーザーダイオードには、ingaasモニターフォトダイオードとそのケースに統合された光学絶縁体があります。このレーザーダイオードは、モバイル通信システムやCATVシステムなどの光ネットワークでの使用に適しています。
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1310 nm同軸DFBピグテルレーザーダイオード
1310 nm同軸DFBピグテルレーザーダイオードは、DFBチップの使用により優れたモデリング特性を持っています。出力電力は、顧客のニーズに応じて1〜4 MWの範囲で規制されているため、このレーザーモジュールはCATV、デジタル、アナログの信号の使用に最適です。
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1290 nmピグテルを備えた同軸DFBレーザーダイオード
1290 nm Pygteleを使用した同軸DFBレーザーダイオードは、WDMファイバー通信システム向けに設計されたINGAASP/INP CWDM MQW-DFBレーザーダイオードモジュールです。これらのモジュールは、低いしきい値電流と高温での高性能を持っています。レーザーダイオードは、INGAAS PDモニターとシングルモードのハトグラウンドに統合された同軸ケースに取り付けられています。クライアントは、この1270 nm-1610 nm DFBレーザーダイオードを購入できます。
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1270 nm DFBピグテルを備えた同軸レーザーダイオード
シリーズ1270 NM DFB分散フィードバック(DFB)を備えたいくつかの量子ピット(MQW)を備えた同軸レーザーダイオードは、SONET CWDMの要件を満たすように特別に設計されています。デバイスは、高出力と幅広い動作温度によって特徴付けられます。ピグテールを備えた彼らの非チーズ、ハーメチック、同軸繊維の建物は、中程度および高レンジの用途に高い速度光源を提供する経済的に効果的な手段です。
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