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400 nm-1000 nmシリコンフォトダイオードモジュール
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400 nm-1000 nmシリコンフォトダイオードモジュール

400 nm -1000 nmシリコンフォトダイオードモジュールは、主材料としてシリコンで作られており、400 nmから1000 nmのスペクトル感度範囲を持ち、主に入射光信号を電気信号に変換する機能を実行し、光電気変換に到達します。

400 nm-1000 nmシリコンフォトダイオードモジュール


1. 400 nm-1000 nmシリコンフォトダイオードモジュールの紹介


400 nm -1000 nmシリコンフォトダイオードモジュールは、主材料としてシリコンで作られており、400 nmから1000 nmのスペクトル感度範囲を持ち、主に入射光信号を電気信号に変換する機能を実行し、光電気変換に到達します。分光分析デバイスのさまざまな波長の光強度を測定し、光学センサーの周囲の照明の変化を検出し、光学通信システムの特定の波長の光信号を受信するために使用されます。これは、光電子技術の分野で光電気変換を実装するための重要な基本デバイスの1つです。


2。400 nm-1000 nmシリコンフォトモジュールの特徴


高感度、高速;

低電流、低容器;

平らな落下構造;

同軸ケース、レーザー溶接;

400 nm -1000 nmの検出範囲。

ROHSに対応し、リードは含まれていません。


3。シリコンフォトダイオードのモジュール400 nm -1000 nmの適用


光電力計;

光学センサー;

宇宙光を検出するための機器。


4.シリコンフォトダイオードのモジュールの光学的および電気的特性400 nm-1000 nm


パラミナンス

シンボル

私は。

タイプ。

マックス。

ユニット

波長の範囲

λ

 

400

-

1000

nm

応答性

Р

λ= 650 nm

-

0.30

-

A/C

λ= 800art

-

0,35

-

λ= 900 nm

-

0,40

-

アクティブエリア

С

-

680*680

ええと

暗い電流

識別子

BR = 0V

-

-

1.0

の上

容量

С

BR = 0V

-

-

5.0

pf

成長/景気後退の時間

TR / TF

VR = 0W、10〜90%

-

-

3.0

ns

容量の合格

CHB

帯域幅3 dB

-

100

-

MGC

飽和電力

-

2

-

-

MW

繊維の種類

-

-


50/125


治療

 

5。パッケージングの描画と結論の決定(測定単位:mm):


 

 

6.日、送信およびメンテナンス


すべての製品は送信前にテストされています。

1年間の保証は、すべての製品に延びています。 (保証期間が終了した後、対応するメンテナンス支払い料金が請求されます。)

当社はお客様のビジネスを大切にし、7日以内(商品を受け取ってから7日後)以内に即座に払い戻しのポリシーを提供します。

あなたが私たちの店で購入する商品が理想的な品質ではない場合、つまり、それらはメーカーの電子仕様に対応していない場合、お金を交換または返品するためにそれらを私たちに返送してください。

商品に欠陥がある場合は、配達日から3日以内にこれについてお知らせください。

お金または交換を返すには、すべての商品を元の状態で返品する必要があります。

買い手は、すべての配送コストについて責任を負います。


 

7.多くの場合、質問が尋ねられました


Q:アプリケーションの領域と波長の精度は何ですか?

A:Box Optronicsは、Volnycwdmidwdmn選択の波長を提供します。

 

Q:どの光コネクタが必要ですか?

A:Box Optronicsは、要件に従って光学コネクタを自由に作成できます。

 

ホットタグ: 400 nm-1000 nmシリコンフォトダイオードモジュール
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