生産

1290 NM DFB 10 MWレーザーバタフライレーザーダイオードは、MOD、優れたSMSR、およびラインの狭い幅のモデルなしで構成する機能を備えた経済的レーザーダイオードを提供する離散モードテクノロジー（DM）を使用して作成されました。また、波長を構成することもできます。これは、1270 nmから1650 nmまでの範囲をカバーします。

1270 nm DFB 10 MWレーザーバタフライレーザーダイオードは、気密の14ピンケースバタフライで作られています。レーザーダイオードには、熱電クーラー（TEC）、サーミスタ、コントロールフォトダイオード、高品質のレーザー動作を確保するための光学絶縁体が含まれています。また、SMボロコン、PMボロコン、その他の特別な繊維の出力電力、ハウジングの種類、出力繊維の完全な選択もあります。また、波長を構成することもできます。

BFLD-1030-50SM-FA 1030 NM 50 MW DFBシリーズ、SMファイバーレーザーダイオードモジュールは、トランジットのチップを備えた平面構造を使用します。高出力チップは、エポキシ樹脂とフラックスのない「バタフライ」タイプの14ピンボディで密閉されており、サーミスタ、熱電クーラー、コントロールダイオードが装備されています。このモジュールは、要件に記載されているTelcordia GR-468コアを満たしています。

1550 nm 8 dB SOAスイッチSemiconductor光スイッチSMボロコニーレーザーダイオード、光スイッチ市場の新しい領域をカバーします。このテクノロジーは、半導体レーザーのよく知られている技術と包装方法に基づいており、繊維スイッチの従来のソリューションに安価な代替品を提供します。 SOAは、1520〜1650 nmの範囲の任意の波長で動作し、65 dBのフェージング係数を備えた光学ブロッキングシャッターまたは変調に非常に適しています。デバイスは蝶のケースに詰め込まれており、これにより、通信効率が高く、偏光に対する感度が低く、飽和出力が高くなります。このSOAは、ナノ秒速度の電気通信または光スイッチングラインを拡張するために使用でき、18〜25 dBの増加、偏光<2.0 dB、飽和能力10 dBMの感度を提供します。連続波（CW）と変調信号の信号の両方を切り替えることができます。

1310 nm 10 dBM SOA半導体光アンプSMバタフライは、高品質のSOAおよびTECコーナーチップを使用して設計されており、大規模な動的入力信号に安定した拡張出力を提供できます。デバイスは、1310 nmおよび1550 nmの範囲の標準の14ピンバタフライケースで利用できます。 SOAデバイスには、光学補強係数が高く、飽和度の高い出力電力、偏光、低ノイズ係数、広範囲の波長に応じて低損失があります。入力側および/または出力側の光学絶縁体のオプション、および顧客の仕様に従ってSM繊維、PM繊維、その他の特別な繊維の出力繊維があります。製品はTelcordia GR-468によって認定されており、ROHSの要件を満たしています。

1920〜2020 nm、TDFAベースのアンプを使用して、-10 dBMから+10 dBMの電力範囲の2μmのレーザーのレーザーの信号を強化できます。豊富な出力が40 dBmに達することがあります。多くの場合、レーザー光源の伝送能力を高めるために使用されます。