1310 nm 10 dBM SOA半導体光アンプSMバタフライ

1310 nm 10 dBM SOA半導体光アンプSMバタフライは、高品質のSOAおよびTECコーナーチップを使用して設計されており、大規模な動的入力信号に安定した拡張出力を提供できます。デバイスは、1310 nmおよび1550 nmの範囲の標準の14ピンバタフライケースで利用できます。 SOAデバイスには、光学補強係数が高く、飽和度の高い出力電力、偏光、低ノイズ係数、広範囲の波長に応じて低損失があります。入力側および/または出力側の光学絶縁体のオプション、および顧客の仕様に従ってSM繊維、PM繊維、その他の特別な繊維の出力繊維があります。製品はTelcordia GR-468によって認定されており、ROHSの要件を満たしています。

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製品説明

1310 nm 10 dBM SOA半導体光アンプSMバタフライ

1. 1310 nm 10 dBm SOA半導体光アンプSMバタフライの紹介

2。特性1310 nm 10 dBm SOA半導体光学アンプSMバタフライ

広い光学帯域幅;
飽和の高出力電力;
偏光に対する感度が低い;
TECおよび光学絶縁体で構築されました。
増幅とNFの低い脈動。

信頼性：Telcordia GR-468。 Rohs

3.感嘆符1310 nm 10 dBm SOA半導体光アンプSMバタフライ

繊維接続とスイッチの損失補償。
WDMファイバー - オプティックネットワーク。

100gファイバーデータ処理センター。

4.絶対最大インジケーター1310 nm 10 dBm SOA半導体光アンプSMバタフライ

パラメーター	シンボル	状態	分	タイプ。	マックス。	仕事の単位
保管温度	ts	-	-40	-	85	℃
作業ケースの温度	上部	-	-20	-	70	℃
直流	もし	-	-	-	600	かどうか。
SOAの逆電圧	vrine	-	-	-	2.5	V.
技術的な電流	ブーツ	-	-	1.0	1.5	a）
テキスト電圧	vtek	-	-	2.8	3.5	V.

5.半導体の光学的および電気的特性光アンプSOA1310NM10DBMSMバタフライ

パラメーター	シンボル	状態	私は。	タイプ。	マックス。	仕事の単位
中央の波長	それらの中には2つのタイプがあります。	TL = 15〜35℃CW	1280	1310	1340	nm
動作電流	IOP。	CW	-	350	600	かどうか。
光学帯域幅3db	Δλ3db	-	50	-	-	V.
飽和3dbの出力電力	作品	-	8	10	-	V.
信号の小さな補強@λC（範囲@pin = -25dbm）	gmax	-	13	16	-	nm
λに対するパイプラインの強化	その中で、	-	-	0.5	1.0	DB
ノイズの図	nf	-	-	10	-	DB
偏光補強に依存します	PDG	-	-	2.0	3.0	DB
光学分離	イエス	-	30	-	-	DB
温度しか見つかりませんでした	ts	-	15	-	35	℃
サーミスタ電流	itk	-	10	-	100	MKR
ターミスタの抵抗	Rt	TL = 25℃	9.5	10	10.5	PC
ターミスタの温度	-	-	-	-	100	℃

6.半導体光学の光ファイバの仕様1310NM10DBM SOA

パラメーター	説明
繊維の種類	SMF-28E
茶色の尾のタイプ	pipe900um
尾の長さ	1.0±0.1m
コネクタのタイプ	FA/APC

7.パッケージングとエクスポートの描画の決定（ユニット：mm）1310nm10dbm SOA半導体光学

TIP1

ピン	説明	ピン	説明
1	技術（+）	14	のみ（-）
2	Termidor	13	軍団の土地
3	NC	12	NC
4	NC	11	チップ（-）
5	サーミスタ、サーミスタ	10	チップ（+）
6	NC	9	NC
7	NC	8	NC