光学コヒーレント断層撮影用の840 nmのスーパールミネセントSLDダイオード

光学コヒーレント断層撮影用の840 nmの超発光SLDダイオードは、コントロールフォトディッドと熱電クーラー（TEC）を備えた14ピンの標準バタフライケースに詰められています。これは特別な半導体光放出であり、光ファイバーサウンドや光学的視覚化などの分野で重要な役割を果たします。

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製品説明

光学コヒーレント断層撮影用の840 nmのスーパールミネセントSLDダイオード

1.光学コヒーレント断層撮影用の840 nmのスーパールミネセントSLDダイオードの紹介

光学コヒーレント断層撮影用の840 nmの超発光SLDダイオードは、コントロールフォトディッドと熱電クーラー（TEC）を備えた14ピンの標準バタフライケースに詰められています。これは特別な半導体光放出であり、光ファイバーサウンドや光学的視覚化などの分野で重要な役割を果たします。

光学コヒーレント断層撮影のための840 nm超微量ダイオード（SLD）は、半導体の刺激放射の原理に基づいています。内部には、特別な半導体材料で作られたアクティブな領域があります。変位の直接電圧がSLDに供給されると、電子と穴が活性領域に注入されます。アクティブフィールドの半導体材料は、通常、アルセニッドガウル（GAAS）、Fosfide India（INP）などの対応するエネルギーゾーン構造を持つ化合物です。

2。光学コヒーレント断層撮影のための840 nmのSLDスーパーレミネセントダイードの特徴

高出力電力;
14ピンハウジングバタフライ;
3 dBの通過ストリップ> 40 nm;
動作温度-45〜+70℃;
SMファイバーまたはPM-voloconnyパイト。

3。光学コヒーレント断層撮影のための840 nmのスラミンセントSLDダイオードの適用

繊維光学ジャイロスコープ;
光ファイバーセンサー。
光ファイバー通信;
臨床医療機器;
生物医学的視覚化デバイス。
光コヒーレント断層撮影;
光学テストデバイス。

4.光学コヒーレント断層撮影のための840 nmのSLDスーパールミネセントダイードの光学的および電気的特性

パラメーター	シンボル	私は。	タイプ。	マックス。	仕事の単位	メモ
動作電流	多くの	-	150	170	かどうか。	CW
繊維のパワー	受け入れ	-	10	14	MW	CW、IT = 150MA
通過幅3db	今年は閉鎖されました。	40	-	-	nm	CW
中央の長さ	プラットフォームs	820	840	860	nm	CW
スペクトル変調	-	-	0.1	0.2	DB	-
技術的な電流	IK	-	-	2	a）	TC = -45〜 + 70℃
テキスト電圧	VK、	-	-	3.5	V.	TC = -45〜 + 70℃
ターミスタの抵抗	Rt	9.5	10	10.5	PC	TC = 25℃
定数ターミストラブ	b）	-	3950	-	に。	-

5。パッケージングとエクスポートの描画の決定（ユニット：mm）

ピン	説明	ピン	説明
1	技術（+）	14	のみ（-）
2	Termidor	13	軍団の土地
3	NC	12	NC
4	NC	11	チップ（-）
5	サーミスタ、サーミスタ	10	チップ（+）
6	NC	9	NC
7	NC	8	NC