1310 nm超微量ダイオードSLDスーパー放射レーザーダイオード

1310 nmの超光量SLDスーパー放射レーザーダイオードダイオードは、コントロールフォトディッドと熱電クーラー（TEC）を備えた14ピン標準バタフライケースに詰め込まれています。これは、光ファイバーコヒーレント断層撮影などの分野で重要な役割を果たす特別な半導体光発光デバイスです。

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製品説明

1310 nm超微量ダイオードSLDスーパー放射レーザーダイオード

1. 1310 nmのスーパー照明ダイオードSLDスーパー放射レーザーダイオードの紹介

1310 nmの超光量SLDスーパー放射レーザーダイオードダイオードは、コントロールフォトディッドと熱電クーラー（TEC）を備えた14ピン標準バタフライケースに詰め込まれています。これは、光ファイバーコヒーレント断層撮影などの分野で重要な役割を果たす特別な半導体光発光デバイスです。

1310 nmスーパールミンセントSLDスーパー放射レーザーダイオードダイオードは、半導体の強制放射線の原理に作用します。内部には、特別な半導体材料で作られたアクティブな領域があります。変位の直接電圧がSLDに供給されると、電子と穴が活性領域に注入されます。活性領域の半導体材料は、通常、アルセニドGaus（GAAS）、Fosfide India（INP）など、対応するエネルギーゾーンの構造を持つ化合物です。

2。1310 nmの特徴スーパー照射ダイオードSLDスーパー放射レーザーダイオード

1310 nm sled-chip;
低スペクトル脈動、ブロードバンド幅;
業界の14ピンケースの標準。
TECおよび光学絶縁体で構築されました。
低偏光感度。

3.アプリケーション1310 nmのスラムSLDスーパー放射レーザーダイオードスーパールミン

繊維 - 光学通信システム。
繊維 - オプティックジャイロスコープ;
繊維光学センサー。
光コヒーレント断層撮影;
生物医学的視覚化システム。

4. 1310 nmのスーパールミネセントダイオードSLDスーパーラディオンレーザーダイオードの光学的および電気的特性

パラメーター	シンボル	状態	私は。	タイプ。	マックス。	仕事の単位
中央の波長	プラットフォームs	TL = 15〜35℃CW	1290	1310	1330	nm
光学出力電力	による	-	10	-	-	MW
しきい値電流	多くの	-	-	80	-	かどうか。
動作電流	IOP。	by = 10mw（cw）	-	400	500	かどうか。
タルフ最大の完全な幅。	fwhm	by = 10mw（cw）	-	40	-	nm
スペクトル脈動	M.	RB = 0.1HM、CW10MW	-	-	0.3	DB
光学分離	-	-10	30	-	-	DB
温度しか見つかりませんでした	ts	-	15	-	35	℃
直接レーザー張力	VF	出力容量CW 10 MW	-	2.5	3.0	V.
サーミスタ電流	itk	-	10	-	100	する。
ターミスタの抵抗	Rt	TL = 25℃	9.5	10	10.5	PC
技術的な電流	ブーツ	Tl = 25℃、tc = 70℃	-	0.8	1.5	a）
テキストの緊張	vtek	Tl = 25℃、tc = 70℃	-	1.5	3.5	V.
技術能力	Δt	TC = 70℃	-	-	50	℃
ターミスタの温度	-	-	-	-	100	℃

5。パッケージングとエクスポートの描画の決定（ユニット：mm）

ピン	説明	ピン	説明
1	技術（+）	14	のみ（-）
2	Termidor	13	軍団の土地
3	NC	12	NC
4	NC	11	チップ（-）
5	サーミスタ、サーミスタ	10	チップ（+）
6	NC	9	NC
7	NC	8	NC