1270 nm DFBピグテルを備えた同軸レーザーダイオード

シリーズ1270 NM DFB分散フィードバック（DFB）を備えたいくつかの量子ピット（MQW）を備えた同軸レーザーダイオードは、SONET CWDMの要件を満たすように特別に設計されています。デバイスは、高出力と幅広い動作温度によって特徴付けられます。ピグテールを備えた彼らの非チーズ、ハーメチック、同軸繊維の建物は、中程度および高レンジの用途に高い速度光源を提供する経済的に効果的な手段です。

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製品説明

1270 nm DFBピグテルを備えた同軸レーザーダイオード

1。はじめに：

シリーズ1270 nm DFBピグテルを備えた同軸レーザーダイオードいくつかの量子ピット（MQW）を備えた分散フィードバック（DFB）は、SONET CWDM送信要件を満たすように特別に設計されています。デバイスは、高出力と幅広い動作温度によって特徴付けられます。ピグテールを備えた彼らの非チーズ、ハーメチック、同軸繊維の建物は、中程度および高レンジの用途に高い速度光源を提供する経済的に効果的な手段です。

2。機能：

1270 nmの波長;
出力電力1 MW〜4 MW;
ingaas/pinで構築されました。
統合光絶縁体;
動作温度の範囲：-20〜80℃。

3。アプリケーション領域：

テスト機器。
WDMシステム。
CATVリバースチャネル;
別のアナログ伝送システム。

4。電気光学特性（t = 25℃）：

パラメーター	シンボル	州	私は。	タイプ。	マックス。	ユニット
中央の波長	λSS	by = pf	1260	1270	1280	nm
光電力を開きます	pf	if = ith+20ма	2	-	-	MW
しきい値電流	群れ		4		10	かどうか
作業電圧	WF	-	-	1.2	1.5	pf
成長/景気後退の時間	TR / TF	jaf = yath、by = pf（20-80）％	-	-	0.4	ns
現在のモニター	Я	by = pf	0.1	-	1	かどうか
容量	С	-	-	10	15	pf
スペクトル幅（-20 dB）	DL	if = ith+20ма		1.6	2.5	nm
追跡エラー	彼らは	-	-1.0	-	1.0	DB
光学分離	ベッド	-	30	-	-	DB
相互変調歪み約2秒。	IMD2	-	-	-	-50	DBN
3次の相互変調歪み	IMD3	-	-	-	-60	DBN
相対的なノイズ強度	rin	-	-	-	-145	DB/Hz
サイド抑制係数	がらくた	PO = 2 MVT	40	-	-	DB